场效应是指场对器件特性的影响。在电子学中，场效应是指晶体管或场效应管（FET）这类器件的工作原理。FET是一种常用的半导体器件，用于放大或开关电信号。
场效应管有三个电极：栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）。通过在栅极施加电压，可以控制漏极与源极之间的电流流动。根据栅极电压的变化，场效应管可以工作在增强型（enhancement）和耗尽型（depletion）两种模式。
在增强型场效应管中，当栅极电压为零或负电压时，漏极与源极之间的电流几乎没有。当施加正电压到栅极时，电场会引起半导体中的载流子（电子或空穴）在栅极和源极之间形成一个导电通道，从而允许电流通过。增强型场效应管在栅极电压为零时是关闭状态，当栅极电压逐渐增加时，电流逐渐增加。
耗尽型场效应管中，当栅极电压为零时，漏极与源极之间的电流是通的。当施加负电压到栅极时，电场会减小导致载流子浓度下降，从而减小了漏极与源极之间的电流。耗尽型场效应管在栅极电压为零时是开启状态，当栅极电压逐渐减小时，电流逐渐减小。
场效应管因其结构简单、功耗低以及高输入阻抗等特点，被广泛应用于电子设备和集成电路中，例如放大器、开关和逻辑门等。它是现代电子技术的重要组成部分，对于电子设备的性能和功能提升起着至关重要的作用。